SJ 2274-1983
Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG113 (Versión en inglés)

Estándar No.
SJ 2274-1983
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
1983
Organización
Professional Standard - Electron
Estado
 2010-02
Ultima versión
SJ 2274-1983

SJ 2274-1983 Historia

  • 1983 SJ 2274-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG113



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