SJ 2273-1983
Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG81 (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ 2273-1983

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1983

Organización

Professional Standard - Electron

Estado

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Ultima versión

SJ 2273-1983

SJ 2273-1983 Historia

• 1983 SJ 2273-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG81