SJ 1486-1979
Especificación detallada para transistores de silicio PNP epitaxial planar de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3CG180 (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ 1486-1979

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1980

Organización

Professional Standard - Electron

Estado

 2016-09

Remplazado por

SJ/T 1486-2016

Ultima versión

SJ/T 1486-2016

SJ 1486-1979 Historia

• 2016 SJ/T 1486-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG180 tipo silicio PNP alta frecuencia alto voltaje trasero transistor de baja potencia especificación detallada
• 1980 SJ 1486-1979 Especificación detallada para transistores de silicio PNP epitaxial planar de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3CG180

SJ 1486-1979 Especificación detallada para transistores de silicio PNP epitaxial planar de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3CG180 ha sido cambiado a SJ/T 1486-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG180 tipo silicio PNP alta frecuencia alto voltaje trasero transistor de baja potencia especificación detallada.