Este documento utiliza el voltaje de conducción del diodo del cuerpo del IGBT como parámetro térmico para establecer un circuito y un método de prueba de resistencia térmica adecuados para dispositivos IGBT de conducción inversa, estandarizar el proceso de prueba de resistencia térmica de los IGBT de conducción inversa y mejorar la precisión de la prueba.
T/CIE 121-2021 Historia
2021T/CIE 121-2021 Método de prueba de resistencia térmica de IGBT de conducción inversa.