CNS 8104-1981
Método para medir el voltaje de umbral lineal MOSFET (Versión en inglés)
- Estándar No.
- CNS 8104-1981
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1981
- Organización
- Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China
- Ultima versión
- CNS 8104-1981
- Alcance
- 1.1 Esta norma especifica el método de medición del voltaje crítico lineal de los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (Nota 1, en lo sucesivo denominado MOSFET) en condiciones de baja frecuencia o CC. El método de conductancia de CC utilizado en esta norma es adecuado para el área de operación lineal de MOSEFT. Su voltaje de drenaje típico Vd es de aproximadamente 0,1 V. Se especifica el método de medición de su voltaje crítico de saturación.
CNS 8104-1981 Historia
- 1981 CNS 8104-1981 Método para medir el voltaje de umbral lineal MOSFET
