(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association
Alcance
El propósito de este apéndice es proporcionar ejemplos de análisis de datos que pueden ser útiles para analizar datos de degradación inducida por portadora caliente de canal n MOSFET. Este apéndice no es un estándar sino una referencia que sugiere posibles técnicas alternativas de análisis de datos de portadores calientes.