Este libro sobre la tecnología de procesos para dispositivos de carburo de silicio se divide en siete capítulos. El primer capítulo analiza las propiedades materiales del SiC@ y específicamente las ventajas del SiC que despertaron el interés en primer lugar. Este capítulo también incluye algunos cálculos básicos sobre bloqueo y resistencia de alto voltaje. Los capítulos 2 a 6 cubren los pasos básicos del proceso utilizados en la fabricación de dispositivos de SiC. Los capítulos cubren el crecimiento masivo y epitaxial de la implantación y difusión de iones SiC@, el grabado húmedo y seco@, dieléctricos cultivados y depositados térmicamente y contactos Schottky y óhmicos. El último capítulo@ Capítulo 7@ cubre dispositivos en SiC@ divididos en diferentes categorías: dispositivos de alto voltaje@ dispositivos de alta frecuencia@ alta temperatura@ dispositivos ópticos y mecánicos. Autor Carl-Mikael Zetterling