MICROW FLD-EFFE TRANSIS-1994
Transistores de efecto de campo de microondas: teoría @ diseño y aplicaciones

Estándar No.
MICROW FLD-EFFE TRANSIS-1994
Fecha de publicación
1994
Organización
IET - Institution of Engineering and Technology
Alcance
Se tratan los siguientes temas: Teoría FET de GaAs-señal pequeña; Teoría-poder FET de GaAs; requisitos y fabricación de FET de GaAs; diseño de amplificadores de transistores; mezcladores FET; osciladores FET de GaAs; embalajes FET e IC; circuitos FET; circuitos integrados de arseniuro de galio; y otros materiales y dispositivos III-V. Autor(es) Raymond S. Pengelly



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